STB18NM60ND

在追求极致能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？想象一下，一个能同时兼顾低损耗、高鲁棒性和出色热管理的解决方案，将如何彻底改变您的电源、电机驱动或照明系统？今天，我们为您带来的STB18NM60ND，正是这样一颗能够释放设计潜能、定义性能新标准的功率MOSFET。

源自ST意法半导体备受赞誉的FDmesh II技术平台，这颗芯片绝非普通的高压开关。其600V的漏源电压和13A的连续电流能力，为应对严苛的工业环境提供了坚实的基础。但真正的魅力在于其内在的优化：仅290毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下，能量损耗被大幅削减，更多的电能被高效转化为有用功，而不是令人头疼的热量。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则带来了另一个关键优势极快的开关速度。这不仅减少了开关损耗，提升了整体效率，更能让您的控制系统响应更为敏捷，在变频驱动、高频开关电源等应用中游刃有余。

无论是服务器电源需要的高功率密度，还是工业电机驱动追求的稳定与耐用，亦或是LED照明驱动所需的精准调光控制，STB18NM60ND都能完美胜任。其D2PAK封装提供了优异的散热路径，结合高达110W的功率耗散能力，确保芯片在长时间、高负荷运行下依然保持冷静，将系统可靠性提升到一个新的层次。高达150°C的结温工作范围，赋予了设计者更大的余量和应对突发状况的信心，让您的产品从容面对全球市场的多样化需求。

选择STB18NM60ND，不仅仅是选择了一颗性能参数出色的元器件，更是选择了一个经过市场验证的可靠解决方案。它代表了ST在功率半导体领域深厚的技术积淀，能够帮助您缩短研发周期，加速产品上市。为了确保您能获得稳定、正品的货源和及时的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购。现在就为您的下一代高效能设计，注入这颗强大的“芯”动力吧！

• 型号:STB18NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1030 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB18NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。