STD6N95K5

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和热管理问题所困扰？现在，让我们向您介绍一个能彻底改变游戏规则的解决方案STD6N95K5。这款来自ST意法半导体的高性能N沟道MOSFET，以其卓越的950V耐压和9A连续电流能力，为您打开了通往下一代高效电源设计的大门。它不仅仅是又一个晶体管，更是基于先进SuperMESH5技术打造的能量控制核心，旨在将系统的整体性能提升到一个全新高度。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明驱动器中，STD6N95K5能够轻松应对严苛的高压环境。其极低的导通电阻（典型值）和优化的栅极电荷，意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统可靠性。无论是面对频繁启停的工业变频器，还是要求24/7稳定运行的通信设备电源，这颗芯片都能提供坚如磐石的性能保障，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出，赢得客户的持久信赖。

选择STD6N95K5，就是选择了一份安心与前瞻性。它高达90W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了其在极端环境下的稳定运行。表面贴装的DPAK封装不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，提升您的制造效率。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的官方授权ST代理商网络随时准备为您服务，从样品申请到批量供应，全程为您保驾护航。立即采用STD6N95K5，让它成为您下一个明星产品中不可或缺的“高效心脏”，共同开启能效新纪元。

• 型号:STD6N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 9A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD6N95K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。