STH185N10F3-6

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否还在为高功率密度与系统稳定性之间的平衡而困扰？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案STH185N10F3-6。这款源自意法半导体STripFET F3系列的N沟道功率MOSFET，以其卓越的性能重新定义了100V电压等级下的功率处理能力。想象一下，在紧凑的空间内，实现高达180A的连续电流承载，同时将导通损耗降至最低，这不仅仅是参数的提升，更是为您产品竞争力注入的强劲动力。

无论是面对严苛的汽车引擎控制单元、高效的新能源车载充电机（OBC），还是要求瞬态响应极快的DC-DC转换器与电机驱动，STH185N10F3-6都能游刃有余。其专为汽车级（AEC-Q101）应用打造的血统，意味着它从设计之初就经历了最严格的可靠性验证，能够在-55°C至175°C的极端结温范围内稳定工作，无畏环境挑战。当您的设计需要应对频繁的启停、高浪涌电流时，这颗芯片极低的4.5毫欧导通电阻（Rds(on)）与优化的栅极电荷（Qg），能显著减少开关损耗与热生成，让系统运行更凉爽、更持久，直接提升终端产品的寿命与口碑。

选择STH185N10F3-6，就是选择了一份安心与前瞻性。尽管其零件状态标注为停产，但在特定库存和替代方案规划中，它依然代表了同级别中的高性能标杆，其设计理念和性能参数为后续选型提供了明确的方向。它采用的H2PAK-6封装不仅提供了优异的散热性能，便于实现紧凑的布局，更能满足高功率密度设计的迫切需求。当您携手专业的ST芯片代理伙伴，不仅能获取关于此型号库存或升级替代方案的专业建议，更能获得从选型支持到供应链保障的全方位服务。让STH185N10F3-6所承载的高效率、高可靠性基因，成为您下一代功率系统设计中不可或缺的核心优势，助力您的产品在市场中脱颖而出，赢得先机。

• 型号:STH185N10F3-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:114.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6665 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• STH185N10F3-6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。