STP2NK90Z

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效，同时还要控制成本与空间时，您是否在寻找一个可靠的解决方案？今天，我们为您带来一个答案STP2NK90Z。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其高达900V的漏源电压和SuperMESH技术的卓越基因，正是为应对严苛的开关电源应用而生。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品性能、确保系统可靠性的得力伙伴。

想象一下，在工业开关电源、UPS不间断电源或照明镇流器的核心电路中，STP2NK90Z正扮演着高效能量转换的关键角色。其6.5欧姆的低导通电阻（在10V驱动电压下）意味着更低的传导损耗，能将更多电能有效输送给负载，而非转化为无谓的热量。结合仅27nC的低栅极电荷，它实现了快速开关与低开关损耗的完美平衡，让您的电源系统运行更凉爽、效率更高，直接助力于提升整机能效并延长使用寿命。

选择STP2NK90Z，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。其坚固的TO-220AB封装提供了出色的功率耗散能力（高达70W），配合-55°C至150°C的宽广工作结温范围，确保它在各种恶劣环境下都能稳定工作。无论是应对电网波动，还是承受长时间满载运行，它都展现出令人放心的鲁棒性。更重要的是，通过正规的ST授权代理渠道获取，您不仅能获得100%原装正品的质量保证，还能得到专业的技术支持与供应链服务，让您的项目从研发到量产全程无忧。现在就为您的下一个高压、高效设计，锁定这颗可靠的核心动力吧！

• 型号:STP2NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 2.1A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 欧姆 @ 1.05A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:485 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP2NK90Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。