STP35N65M5

当您的电源设计面临效率瓶颈与散热挑战时，是否渴望一款能同时兼顾高性能与高可靠性的功率开关解决方案？现在，答案就在眼前。我们隆重向您介绍STP35N65M5，这颗源自ST意法半导体MDmesh V家族的N沟道功率MOSFET，正是为突破传统限制、释放系统潜能而生。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明系统中，稳定与高效是生命线。STP35N65M5凭借其650V的高耐压能力和27A的连续漏极电流，为这些严苛应用提供了坚实的保障。其核心的MDmesh V技术，实现了超低的导通电阻（典型值仅98毫欧），这意味着在相同电流下，芯片自身的损耗显著降低，电能得以更高效地传递到负载端，而非转化为无谓的热量。更低的损耗直接带来了更低的温升和更高的系统可靠性，让您的设备在长时间满负荷运行时依然保持冷静与稳定。

选择STP35N65M5，就是选择了一份经得起考验的卓越性能。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速且干净的开关行为，这不仅有助于提升开关频率、缩小磁性元件体积，更能有效降低开关损耗和电磁干扰（EMI），让您的电源设计更容易满足日益严格的能效与安规标准。TO-220AB的经典封装形式，提供了出色的散热能力和便捷的安装方式，极大简化了您的生产与维护流程。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和卓越的性能使其在诸多存量升级和特定高可靠性项目中依然极具价值。如需获取库存或寻找替代方案，专业的ST中国代理将为您提供全面的技术支持与供应链服务，确保您的项目顺利推进。

• 型号:STP35N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 27A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:98 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3750 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP35N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。