STV240N75F3

在追求极致能效与功率密度的今天，您的电源系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够承载240A大电流、同时将导通电阻降至毫欧级别的功率开关，将如何彻底改变您的设计格局。现在，答案就在STV240N75F3。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的STripFET III技术，为您带来前所未有的高效能与可靠性体验。

无论是服务器和数据中心里严苛的DC-DC转换模块，还是工业自动化设备中驱动大功率电机和电磁阀，甚至是新能源领域如太阳能逆变器和车载充电机，STV240N75F3都能游刃有余。它高达75V的漏源电压和240A的连续漏极电流，为您的系统提供了坚实的功率基础。而其低至2.6毫欧的导通电阻，意味着在通过大电流时，芯片自身的功耗被压至极低，这不仅直接提升了整体效率，更大幅减轻了散热系统的压力，让您的设备运行更凉爽、更稳定。

选择STV240N75F3，就是选择了一份对性能的执着承诺。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），确保了快速、干净的开关特性，让您的开关电源工作在更高频率成为可能，从而进一步缩小磁性元件的体积，实现系统的小型化。宽广的-55°C至175°C结温工作范围，赋予了它应对极端环境挑战的强悍能力。尽管该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的市场验证，使其成为特定高性能、高可靠性需求场景下的经典之选。为确保您能获得稳定可靠的供货渠道与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

• 型号:STV240N75F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 240A 10POWERSO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):240A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 毫欧 @ 120A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• STV240N75F3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。