STF12N50M2

在追求更高能效与更紧凑设计的电源世界里，您是否正在寻找一颗能在高压下稳定输出、同时将开关损耗降至最低的功率开关解决方案？今天，我们为您带来的STF12N50M2，正是这样一颗集卓越性能与高可靠性于一身的明星产品。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、赢得市场的关键动力。源自ST意法半导体备受赞誉的MDmesh II Plus技术平台，这颗N沟道MOSFET以其500V的漏源电压和10A的连续漏极电流能力，为您的设计提供了坚实的性能基石，让您在应对严苛应用时充满信心。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是高效照明镇流器中，STF12N50M2正以其极低的导通电阻（典型值仅380毫欧）和优化的栅极电荷（Qg）特性，默默工作着。这意味着更少的热量产生和更高的开关频率潜力，直接转化为更小的散热器尺寸、更高的系统效率以及更低的整体运行成本。无论是工业电机驱动、UPS不间断电源，还是消费类电子产品的适配器，它都能轻松融入，成为提升整机能效表现的幕后英雄。选择它，就是选择了一种更冷静、更高效、更可靠的工作方式。

那么，为何众多工程师在众多选择中独独青睐STF12N50M2？答案在于其背后强大的技术基因与无与伦比的综合价值。MDmesh II Plus技术确保了出色的开关性能与雪崩耐量，在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，赋予产品卓越的环境适应性。TO-220FP封装兼顾了优异的功率耗散能力（高达85W）与便捷的安装工艺。更重要的是，当您通过值得信赖的ST一级代理进行采购时，您获得的不仅是正品保障和稳定的供货，还有专业的技术支持与快捷的物流服务，让您的项目从研发到量产全程无忧。选择STF12N50M2，就是选择了一个经过市场验证的高性能解决方案，一个能助您加速产品上市、降低系统总成本的可靠伙伴。

• 型号:STF12N50M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:560 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF12N50M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。