STF30NM50N

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款能在高压环境下稳定输出、同时保持低损耗的功率开关器件而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。让我们向您隆重介绍STF30NM50N，这颗源自ST意法半导体MDmesh II家族的N沟道功率MOSFET，正是为突破效率瓶颈、简化高压应用设计而生的卓越解决方案。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争力的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至高效照明镇流器的核心电路中，STF30NM50N正以其500V的高耐压能力和27A的连续电流承载实力，从容应对各种严苛的电气环境。其TO-220FP封装不仅提供了出色的通孔安装便利性和散热性能，更能确保在高达150°C的结温下稳定工作，让您的设备无惧高温挑战，持续可靠运行。无论是应对突发的浪涌电流，还是需要长时间满负荷工作，它都能提供坚实的保障。

选择STF30NM50N，意味着您选择了一种经过市场验证的高价值技术路径。其核心优势在于MDmesh II技术带来的超低导通电阻在10V驱动电压下仅115毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体系统效率。更低的栅极电荷（94nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的电源设计轻松实现更高的开关频率和更小的磁性元件尺寸，从而优化系统成本与体积。虽然该型号已处于停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用基础使其在特定市场和存量项目中依然极具吸引力，通过可靠的ST代理渠道，您依然可以获取这颗经典器件，为您的经典产品或特定项目续写可靠篇章。让它成为您设计中沉默而强大的功臣，释放每一瓦电力的最大潜能。

• 型号:STF30NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 27A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:115 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:94 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2740 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF30NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。